Samsung представила модули оперативной памяти DDR4, созданные с помощью техпроцесса 30 нм. Модули способны передавать данные со скоростью до 3200 миллионов транзакций в секунду, при напряжении 1,2 В. Для сравнения: скорость модулей DDR3, изготовленных по техпроцессу 30 нм и рассчитанных на напряжение 1,35 или 1,5 В, составляет до 1600 миллионов передач. Новые модули потребляют на 40 % меньше электроэнергии, чем модули DDR3, рассчитанные на напряжение 1,5 В.
В модулях используется технология Pseudo Open Drain, позволившая уменьшить потребляемый ток вдвое по сравнению с DDR3. С использованием новой архитектуры DDR4 может работать со скоростью от 12,8 до 25,6 Гбайт/с. Сейчас же скорость DDR3 составляет до 12,8 Гбайт/с, а DDR2 — до 6,4 Гбайт/с.
Во второй половине года Samsung в сотрудничестве с производителями серверов планирует завершить стандартизацию DDR4 организацией JEDEC.
Источник информации: Хабрахабр