В Samsung объявили о создании нового модуля памяти типа DIMM емкостью 8 Гб, в котором чипы памяти размещены друг над другом. Такой подход позволяет увеличить емкость памяти на 50% в сравнении с традиционной технологией DIMM.
Новая регистровая или буферизованная память (RDIMM) основана на технологии Green DDR3 DRAM и будет производиться по 40-нм техпроцессу. Новый модуль памяти предназначен для серверов и корпоративных систем хранения данных.
Технология трехмерного стека также известна как TSV (through silicon via). По словам Samsung, TSV-процесс позволяет экономить до 40% энергии, потребляемой обычной RDIMM. В компании считают, что с его помощью можно увеличить плотность чипов в серверных системах следующего поколения, что делает их привлекательными для высокопроизводительных систем с высокой плотностью записи данных.
При TSV-технологии на кремниевом чипе делаются отверстия размером в микрон не только горизонтально, но и вертикально, что делает архитектуру более плотной. В Samsung планируют со временем освоить 30-нанометровый и еще более малые процессы при производстве TSV.
В корейской компании сообщили, что новый модуль успешно протестирован крупными производственными партнерами.
Цена нового продукта пока не называется. Он станет доступен для производителей оборудования ориентировочно во второй половине 2011 года.
Источник информации: ComputerWorld