Компания Samsung продолжает развивать свое направление твердотельных накопителей и ставить рекорды. Так, в новейшем устройстве такого рода корейский электронный гигант применил чипы флэш-памяти нового поколения, что обеспечило прирост по всем основным характеристикам SSD без увеличения энергопотребления.
Samsung представила свой новый флагманский SSD-накопитель, который отличается увеличенным вдвое в сравнении с предшественником объемом памяти и повышенной скоростью обмена данными. Аппарат содержит новейшие чипы флэш-памяти DDR NAND объемом 32 Гбит, которые созданы с соблюдением норм 30-нм техпроцесса.
Применение оригинальных технологий и интерфейса SATA II позволило Samsung добиться скорости передачи данных в режиме чтения до 250 МБ/с, в режиме записи — до 220 МБ/с, что как минимум втрое превышает производительность традиционного накопителя на базе жестких дисков. При этом энергопотребление нового 512-гигабайтного SSD-накопителя Samsung осталось на таком же уровне, как и у предшествующей 256-гигабайтной модели. Стоит также добавить, что новинка поддерживает реализованную в Windows 7 функцию TRIM. Она увеличивает общую производительность и время жизни накопителя. Еще одна особенность новинки — поддержка шифрования с 256-битным алгоритмом AES на аппаратном уровне. О цене новинки пока информации не поступало.
Источник информации: Tom’s Hardware Guide